韓媒：三星电子率先推出10纳米级DRAM

 三星电子在全世界首次开启了10纳米级DRAM时代。“10纳米级”被认为是半导体微技术的极限，而三星电子率先实现了相关技术突破，并已从今年2月开始量产10纳米级8Gb DDR4 DRAM，速度比20纳米级DRAM提高30%以上。

1纳米是十亿分之一米，10纳米相当于头发丝粗细的一万两千分之一。与20纳米级DRAM相比，10纳米级DRAM的速度快30%以上，电力消费减少10%至20%。另外，三星电子今年还计划批量生产10纳米级移动DRAM，除了个人电脑和服务器市场之外，也在超高分辨率智能手机市场捷足先登。

2014年，三星电子在世界上首次量产20纳米级4Gb DDR3 DRAM，此次率先生产10纳米级8Gb DDR4 DRAM，实现了高新技术的突破，为半导体技术发展再次树立了新的里程碑。尤其是三星电子在量产20纳米级DRAM之后，仅用两年时间即量产10纳米级DRAM，为世界记忆半导体市场带来了冲击。与海外其它半导体公司相比，韩国三星电子和SK海力士等半导体公司在生产20纳米级DRAM时已处于领先地位。在海外半导体公司致力于生产29纳米级和25纳米级DRAM并积极研发23纳米级DRAM之际，韩国两大半导体公司已在量产20纳米级DRAM。据统计，截至2014年第四季度，三星电子和SK海力士在移动DRAM市场所占的份额为74%，美国公司占比23.3%，中国台湾公司占比2.6%。鉴于目前的趋势，韩国两大半导体公司还将在未来相当一段时间里领军半导体市场。